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方案介紹

氮化硅中氟、氯的測定

電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造,而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴重腐蝕,所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準確測定具有重要意義。

分析柱:SH-G-1+SH-AC-11

流動相:12 mM KOH(EG)

流速:1.0 mL/min

柱溫:35℃

抑制器:SHY-A-6

進樣體積:25 μL

前處理:稱取適量樣品(準確記錄質(zhì)量,精確到 0.0001 g)于樣品舟中,經(jīng)燃燒離子色譜進樣分析。同時做樣品舟空燒對照組分析。

色譜測量數(shù)據(jù)

1.png

氮化硅中氟、氯的譜圖

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